企业简介
![科达半导体有限公司](http://img.czvv.com/logo/4ed4a53de588ed97b43b21c3/4ed4a53de588ed97b43b21c3.png)
科达半导体有限公司的工商信息
- 370500400001825
- 91370500666737615J
- 在营(开业)企业
- 法定代表人
- 2007年10月08日
- 刘锋杰
- 5000.000000
- 2007年10月08日 至 2027年09月29日
- 东营市工商行政管理局
- 2015年10月22日
- 山东省东营市东营区黄河路以北、规划五路以西
- 设计、生产和销售半导体元器件;并对售后的产品进行维修和服务。(以上经营事项涉及法律法规规定需报批的,凭批准证书经营)
科达半导体有限公司的域名
类型 | 名称 | 网址 |
网站 | 科达半导体有限公司 | http://www.kedasemi.com |
网站 | 科达半导体有限公司 | http://www.kedasemi.com/ |
科达半导体有限公司的商标信息
科达半导体有限公司的专利信息
序号 | 公布号 | 发明名称 | 公布日期 | 摘要 |
1 | CN101339224A | 绝缘栅双极型晶体管开关时间参数测试系统 | 2009.01.07 | 本发明一种绝缘栅双极型晶体管开关时间参数测试系统,包括方波信号发生器、驱动电路、高压电源、专用绝缘栅 |
2 | CN205828380U | 一种共阳二极管封装器件 | 2016.12.21 | 本申请公开了一种共阳二极管封装器件,包括第一基板和第二基板,所述第一基板具有凸出的第一阴极,所述第二 |
3 | CN102315110B | 一种沟槽式半导体功率器件栅极导出的制造方法 | 2016.12.14 | 本发明涉及一种沟槽式半导体功率器件栅极导出的制造方法,包含有元胞区和栅极总线导出区,元胞区一般位于版 |
4 | CN205984967U | 一种三极管 | 2017.02.22 | 本实用新型公开了一种三极管,包括塑封体,所述塑封体的外部分别设置有用于电路连通的G管脚、C管脚和E管 |
5 | CN205248258U | 一种IGBT单管 | 2016.05.18 | 本申请公开了一种IGBT单管,包括IGBT单管本体,所述IGBT单管本体上设置有散热片,所述散热片上 |
6 | CN203683706U | 功率器件单管返镀治具及返镀设备 | 2014.07.02 | 本实用新型公开了一种功率器件单管返镀治具,所述功率器件单管顶部具有定位孔,底部具有三个管脚,该返镀治 |
7 | CN203689187U | 一种半导体器件检测用温度控制装置 | 2014.07.02 | 本实用新型公开了一种半导体器件检测用温度控制装置,包括:发热组件;设置在所述发热组件上方的导热板,所 |
8 | CN203689188U | 一种半导体温度控制装置 | 2014.07.02 | 本实用新型公开了一种半导体温度控制装置,该装置包括:第一导热金属板和第二导热金属板;半导体制冷片,所 |
9 | CN203680617U | 一种引线框架用刻胶治具 | 2014.07.02 | 本实用新型提供了一种引线框架用刻胶治具,包括:基座,该基座具有放置引线框架的刻胶位置;能够平行靠近和 |
10 | CN202275809U | 一种分离治具 | 2012.06.13 | 本实用新型公开了一种分离治具,该分离治具包括:支撑架;位于所述支撑架上、与第一真空发生器相连的真空吸 |
11 | CN202275811U | 一种粘贴治具 | 2012.06.13 | 本实用新型公开了一种粘贴治具,该粘贴治具包括:楔形台;位于所述楔形台上的环形板;设置在所述环形板内壁 |
12 | CN202275140U | 一种MOSFET器件雪崩能量测试系统 | 2012.06.13 | 本实用新型实施例公开了一种MOSFET器件雪崩能量测试系统,采用可程序控制电感器,逐步增加待测器件的 |
13 | CN102324384A | 在超薄晶片上进行离子注入的方法 | 2012.01.18 | 本发明实施例公开了一种在超薄晶片上进行离子注入的方法,该方法包括:提供一超薄晶片和一挡片,所述超薄晶 |
14 | CN102315110A | 一种沟槽式半导体功率器件栅极导出设计制造方法 | 2012.01.11 | 本发明涉及一种沟槽式半导体功率器件栅极导出设计制造方法,包含有元胞区和栅极总线导出区,元胞区一般位于 |
15 | CN101673685A | 一种掩膜数量减少的沟槽MOSFET器件制造工艺 | 2010.03.17 | 本发明涉及一种掩膜数量减少的沟槽MOSFET器件制造工艺,其特征在于,包括如下步骤:选择衬底材料;在 |
16 | CN101452815A | IGBT超薄晶片背面工艺的新方法 | 2009.06.10 | 本发明提供的一种加工IGBT超薄晶片背面工艺的新方法,将每俩片芯片面对面放在一起,用聚酰亚胺将芯片边 |
17 | CN101452951A | 非穿通(NPT)绝缘栅双极型晶体管IGBT及其制造方法 | 2009.06.10 | 本发明提供非穿通(NPT)绝缘栅双极型晶体管IGBT及其制造方法,主要结构包括:底层集电极,N型-硅 |
18 | CN101452950A | 一种采用氮化硅(Si<sub>3</sub>N<sub>4</sub>)和掺磷氧化硅(PSG)复合薄膜隔离技术的IGBT功率器件及其制造工艺 | 2009.06.10 | 本发明提供一种采用氮化硅(Si<sub>3</sub>N<sub>4</sub>)和掺磷氧化硅(PS |
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